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J-GLOBAL ID：201102290239843024   整理番号：11A1269876

窒素ラジカル曝露によるp-InP表面の表面状態密度分布の修飾

Modification of Surface State Density Distribution of p-InP Surfaces by Nitrogen Radical Exposure

著者 (2件)： YOSHIDA Toshiyuki (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  HASHIZUME Tamotsu (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 50  号： 7,Issue 1  ページ： 070209.1-070209.3  発行年： 2011年07月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒素(N₂)ラジカル曝露前後のp-InP表面の表面状態密度を空気間隙容量-電圧法を用いて特性化した。N₂ラジカル曝露前に高密度で極端に低速の電子捕獲速度を持つ離散準位が存在し,強いFermi準位ピン止めの原因になった。この準位のピーク密度と半値全幅を推定した。N₂ラジカル曝露後,離散準位の密度は(5~6)×10¹²cm^-2eV^-1に低下した。一方,連続準位が観測されるようになった。さらに,離散準位の電子捕獲速度がN₂ラジカル曝露後に高まった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ラジカル ,  窒素 ,  *リン化インジウム ,  半導体材料 ,  *状態密度 ,  *表面準位 ,  容量電圧特性 ,  Fermi準位 ,  ピン止め ,  化合物半導体 ,  電子捕獲 ,  P型半導体
準シソーラス用語： *表面状態

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

引用文献 (15件)：

• 1) M. Yokoyama, T. Yasuda, H. Takagi, N. Miyata, Y. Urabe, H. Ishii, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka, and S. Takagi: Appl. Phys. Lett. 96 (2010) 142106.
• 2) M. Yokoyama, T. Yasuda, H. Takagi, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka, and S. Takagi: Appl. Phys. Express 2 (2009) 124501.
• 3) Y.Q. Wu, W.K. Wang, O. Koybasi, D.N. Zakharov, E.A. Stach, S. Nakahara, J.C.M. Hwang, and P.D. Ye: IEEE Electron Device Lett. 30 (2009) 700.
• 4) M. Xu, Y.Q. Wu, O. Koybasi, T. Shen, and P.D. Ye: Appl. Phys. Lett. 94 (2009) 212104.
• 5) G. Hollinger, J. Joseph, Y. Robach, E. Bergignat, B. Comm陲re, P. Viktorovitch, and M. Froment: J. Vac. Sci. Technol. B 5 (1987) 1108.

タイトルに関連する用語 (6件)： 窒素 ,  ラジカル ,  曝露 ,  InP ,  密度分布 ,  修飾