YOSHIDA Toshiyuki について
Shimane Univ., Matsue, JPN について
HASHIZUME Tamotsu について
Hokkaido Univ., Sapporo, JPN について
Japanese Journal of Applied Physics について
ラジカル について
窒素 について
リン化インジウム について
半導体材料 について
状態密度 について
表面準位 について
容量電圧特性 について
Fermi準位 について
ピン止め について
化合物半導体 について
電子捕獲 について
P型半導体 について
表面状態 について
表面の電子構造 について
窒素 について
ラジカル について
曝露 について
InP について
密度分布 について
修飾 について