特許
J-GLOBAL ID:201103003881755001

配線の形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:特許公告
出願番号(国際出願番号):特願昭62-263722
公開番号(公開出願番号):特開平1-107559
出願日: 1987年10月21日
公開日(公表日): 1989年04月25日
請求項(抜粋):
【請求項1】表面に堆積された絶縁膜に微細ホールが形成された基板に対して、該微細ホールの底部のみタンタルシリサイド膜を選択化学気相成長法で堆積して該微細ホールの深さの一部をタンタルシリサイド膜で埋め込む第1の工程と、組成3.5〜4.5ケイ化モリブデンであるターゲットを用いるバイアススパッタ法により、前記微細ホールのいまだ埋め込まれていない部分と絶縁膜上に、モリブデンシリサイド膜を堆積する第2の工程とを含むことを特徴とする配線の形成方法。
IPC (2件):
H01L 21/90 C 7514-4M ,  H01L 21/3205
FI (1件):
H01L 21/88 Q 7514-4M
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開昭60-189241
  • 特開昭60-193336
  • 特開昭61-027657

前のページに戻る