半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤朝道
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-129771
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306802
特許番号：特許第2827962号
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】(a)シリコン基板の表面の素子分離領域と素子形成領域にそれぞれ対応する所定の領域にフィールド絶縁膜とゲート絶縁膜とをそれぞれ形成し、該ゲート絶縁膜の所定の領域上に第1の多結晶シリコン膜と金属窒化膜と第2の多結晶シリコン膜のこの順に積層してなるゲート電極を形成する工程と、(b)全面に絶縁膜を形成し、異方性エッチングにより前記シリコン基板の表面の所定の領域および前記ゲート電極の上面が露出するまで前記絶縁膜のエッチバックを行ない、前記ゲート電極の側面に前記絶縁膜からなるスペーサを形成する工程と、(c)前記ゲート電極の前記第2の多結晶シリコンのみを塩素ガスを用いた気相エッチング法により選択的にエッチングする工程と、(d)前記ゲート電極の前記第1の多結晶シリコン膜と前記シリコン基板の表面の前記素子域に所定の導電型の不純物を選択的に形成する工程と、(e)金属膜を堆積して熱処理を行ない、少なくとも前記工程(d)にて形成された拡散層の表面に前記金属膜の珪化物からなる金属シリサイド膜を形成する工程と、(f)前記絶縁膜上の未反応の前記金属膜を少なくとも選択的にエッチング除去し、前記拡散層の表面のみに前記金属シリサイド膜を残置する工程と、(g)少なくとも前記ゲート電極の表面に金属膜を選択的に堆積する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/8238 , H01L 21/28 301 , H01L 21/336 , H01L 27/092 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 27/08 321 E , H01L 21/28 301 M , H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-003244
半導体基板の処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-287954 出願人：川崎製鉄株式会社
特開昭56-027922

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