特許

J-GLOBAL ID：201103016986148105

半導体素子の製造方法

発明者： 日浦 英文
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 吉村 俊一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-141899
公開番号（公開出願番号）：特開2010-287810
出願日： 2009年06月15日
公開日（公表日）： 2010年12月24日
要約：

【課題】汎用性が高く、低コストで省資源である方法を採用し、実用性に富み、任意の場所、任意の形状に金属又は半導体を二次元的又は三次元的に形成できる半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】炭素材料と金属酸化物材料又は半導体酸化物材料とを有する還元反応構造1Aを持つ層構造30Aを準備する層構造準備工程と、層構造30Aを設置する層構造設置工程と、還元反応構造1Aに対して局所的にエネルギーを集中することが可能で、かつ還元反応構造1Aに対して2次元的又は3次元的に走査することが可能な熱源3を用い、熱源3によって酸化還元反応が起こる温度以上に還元反応構造1Aの一部を走査しつつ選択的に加熱して、炭素材料により金属酸化物材料又は半導体酸化物材料をそれぞれ金属又は半導体に還元し、金属層又は半導体層4を形成する金属・半導体領域形成工程と、を有する半導体素子の製造方法とすることで上記課題を解決する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

炭素材料と金属酸化物材料又は半導体酸化物材料とを有する還元反応構造を持つ層構造を準備する層構造準備工程と、 前記層構造を設置する層構造設置工程と、 前記還元反応構造に対して局所的にエネルギーを集中することが可能で、かつ前記還元反応構造に対して2次元的又は3次元的に走査することが可能な熱源を用い、当該熱源によって酸化還元反応が起こる温度以上に前記還元反応構造の一部を走査しつつ選択的に加熱して、前記炭素材料により前記金属酸化物材料又は前記半導体酸化物材料をそれぞれ金属又は半導体に還元し、所望の形状の金属領域又は半導体領域を形成する金属・半導体領域形成工程と、 を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/285

FI (1件)：

H01L21/285 Z

Fターム (8件)：

4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB08 ,  4M104BB16 ,  4M104BB36 ,  4M104DD51 ,  4M104DD81 ,  4M104DD88