特許
J-GLOBAL ID:201103022249042142

導電薄膜の堆積方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願昭60-144566
公開番号(公開出願番号):特開昭62-007140
特許番号:特許第2535734号
出願日: 1985年07月03日
公開日(公表日): 1987年01月14日
請求項(抜粋):
【請求項1】溶融した導電材料より蒸発した原子や分子の一部をイオン化して加速し、該イオン化した原子や分子もイオン化していない原子や分子もともに表面に微細でアスペクト比の充分大きい凹部を有する基板にほぼ垂直方向から入射せしめ、かつ、イオン化した原子や分子の堆積膜への衝撃による凹部肩部での堆積膜の横方向スパッタエッチング速度が凹部肩の部分での堆積膜の横方向成長速度よりも大となる様にイオン化率やイオンの加速エネルギーを選ぶことを特徴とした導電薄膜の堆積方法。
IPC (2件):
H01L 21/285 ,  H01L 21/203
FI (2件):
H01L 21/285 S ,  H01L 21/203 S
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開昭50-063883
  • 特開昭51-031187
  • 特開昭52-103978

前のページに戻る