特許

J-GLOBAL ID：201103025973295140

半導体装置の製造方法

発明者： 堀内 忠彦 ,  石上 ▲隆▼司 ,  中村 弘幸 ,  最上 徹 ,  若林 整 ,  國尾 武光 ,  奥村 孝一郎
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-301947
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162453
特許番号：特許第2692617号
出願日： 1994年12月06日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 幅が300nm以下のシリコン上に損傷層を設ける工程と、前記損傷層上に前記損傷層の厚さの4/10以上1以下の厚さの高融点金属からなる金属膜を堆積させる工程と、窒素雰囲気中で750°C以上の温度で60秒以下熱処理を行い、前記損傷層のシリコンと前記高融点金属を反応せしめる工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/324

FI (6件)：

H01L 21/88 Q ,  H01L 21/28 K ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/324 Z ,  H01L 21/265 W

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-211622
  
• 特開昭63-227018
  
• 特開平1-179415