特許
J-GLOBAL ID：201103030725953496
MOS型電界効果トランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-342335
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152323
特許番号：特許第3044892号
出願日： 1991年11月30日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板上の活性領域にゲート絶縁膜として、シリコン酸化膜を形成する工程と、該シリコン酸化膜を、3フッ化窒素ガスまたは3塩化窒素ガス中で熱処理法により窒化し、シリコン窒化酸化膜を形成する工程とを含むことを特徴とするMOS型電界効果トランジスタの製造方法。
IPC (2件)：
FI (1件)：
引用特許：
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