不揮発性半導体記憶部を含む記憶システム

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-080579
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279295
特許番号：特許第3176019号
出願日： 1995年04月05日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】データの再書込み可能な不揮発性メモリセル群からなる1つ若しくは複数の記憶領域を有する情報記憶部と、前記情報記憶部から読出されるデータのエラーを検出し、読出データのエラーを訂正して出力する誤り検出訂正回路と、前記情報記憶部からのデータの読出しを計数する読出回数カウンタと、前記情報記憶部が保持するデータの再書込みを行うリフレッシュ制御手段と、を備え、前記リフレッシュ制御手段は、前記データの読出しの計数値が読出基準値を超えると、前記情報記憶部から前記計数の対象となった読出データを含む記憶領域に属する全データを読出し、読出したデータを前記誤り検出訂正回路を経由して前記記憶領域に再度書込む、ことを特徴とする不揮発性半導体記憶部を含む記憶システム。

IPC (1件)：

G11C 16/02

FI (1件)：

G11C 17/00 614

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭54-090936
特開平2-257498
メモリカード装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-200522 出願人：株式会社東芝

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