特許

J-GLOBAL ID：201103040653136558

有機電界効果型トランジスタの製造方法

発明者： 宮崎 元 ,  中山 寛晴 ,  三浦 大祐 ,  宇野 英満 ,  小野 昇
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 阿部 琢磨 ,  黒岩 創吾
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-056144
公開番号（公開出願番号）：特開2004-266157
特許番号：特許第4612786号
出願日： 2003年03月03日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 有機半導体層を有する有機電界効果型トランジスタの製造方法であって、下記一般式(2)で示した有機半導体前駆体である6,13-エタノペンタセン-6,13-ジオンの光分解により分解させてペンタセン化合物を得ることで前記有機半導体層を形成する工程を有することを特徴とする有機電界効果型トランジスタの製造方法。 (式中、R2、R4は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、エステル基またはフェニル基を示し、R5からR12は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基、フェノキシ基、シアノ基、ニトロ基、エステル基またはハロゲン原子を示し、それらは同一であっても異なっていてもよい。)

IPC (5件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 51/05 ( 200 6.01) ,  H01L 51/40 ( 200 6.01) ,  H01L 51/30 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/28 100 A ,  H01L 29/28 310 J ,  H01L 29/28 250 H ,  H01L 29/78 618 A

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 液晶表示素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-205794   出願人：株式会社東芝
• 有機薄膜トランジスタ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-006863   出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社

審査官引用 (2件)

• 液晶表示素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-205794   出願人：株式会社東芝
• 有機薄膜トランジスタ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-006863   出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社

引用文献：

出願人引用 (4件)

• High-Performance, Solution-Processed Organic Thin Film Transistors from a Novel Pentacene Precursor
• Precursor route pentacene metal-insulator-semiconductor field-effect transistors
• A Soluble Pentacene Precursor: Synthesis, Solid-State Conversion into Pentacene and Application in a
• Evidence for the expulsion of bis-CO from bridged α-diketones

審査官引用 (4件)

• High-Performance, Solution-Processed Organic Thin Film Transistors from a Novel Pentacene Precursor
• Precursor route pentacene metal-insulator-semiconductor field-effect transistors
• A Soluble Pentacene Precursor: Synthesis, Solid-State Conversion into Pentacene and Application in a
• Evidence for the expulsion of bis-CO from bridged α-diketones