特許
J-GLOBAL ID：201103048095225302
超伝導膜の超伝導臨界電流特性の評価方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
平山 一幸
, 海津 保三
, 平山 一幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-381028
公開番号（公開出願番号）：特開2004-212168
特許番号：特許第3704549号
出願日： 2002年12月27日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 超伝導膜に磁場発生源により磁場を印加し、この磁場発生源の磁場により上記超伝導膜と上記磁場発生源との間に生ずる斥力が増大から減少に転ずるまで磁場強度を連続して増大させ、斥力が増大から減少に転ずる磁場強度から、上記超伝導膜の超伝導臨界電流特性を評価することを特徴とする、超伝導膜の超伝導臨界電流特性の評価方法。
IPC (5件)：
G01N 27/72
, G01R 33/12
, H01L 39/00
, H01B 12/06
, H01B 13/00
G01N 27/72
, G01R 33/12 ZAA Z
, H01L 39/00 G
, H01B 12/06
, H01B 13/00 565 D
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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