オ-ミツク電極の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願昭61-148311
公開番号（公開出願番号）：特開昭63-006837
出願日： 1986年06月26日
公開日（公表日）： 1988年01月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】高濃度に不純物がドープされたシリコン領域を少なくとも表面に備えた基板の前記シリコン表面に絶縁膜を形成し、該絶縁膜に開口を設け前記シリコン表面の一部を露出させる工程と、該露出シリコン表面の少なくとも一部を覆う様に高融点金属シリサイド膜を基板バイアスを-100〜-500Vとしたバイアススパッタ法によって形成する工程とを含むことを特徴としたオーミック電極の製造方法。

IPC (2件)：