特許
J-GLOBAL ID：201103070169386546
半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-056218
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255493
特許番号：特許第3192344号
出願日： 1995年03月15日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体基板にメモリセルが配列形成されたメモリセルアレイと、各々電源電圧より高くかつ相互に異なる電圧を出力し前記メモリセルに印加するための複数の電圧発生回路と、これらの電圧発生回路の各出力ノードを接続するためのスイッチ回路とを具備してなり、前記電圧発生回路は、それぞれ昇圧回路と電圧リミッタからなり、前記スイッチ回路により各ノードが接続される時には1つの電圧リミッタを除いて残りの電圧リミッタの動作を停止することを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G11C 16/06
, H01L 21/8247
, H01L 27/115
G11C 17/00 632 A
, G11C 17/00 632 D
, H01L 27/10 434
