特許
J-GLOBAL ID:201103080319411817

水素ガスセンサに用いられる薄膜状の金属酸化物イオン伝導体の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 梶 良之 ,  須原 誠
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-125442
公開番号(公開出願番号):特開2005-308529
特許番号:特許第4552008号
出願日: 2004年04月21日
公開日(公表日): 2005年11月04日
請求項(抜粋):
【請求項1】ジルコニウムの酸化物を母体とし、イットリウムの酸化物を添加してなる多価金属酸化物を液相析出法により析出させてなる多価金属酸化物薄膜で金属酸化物イオン伝導体を構成することを特徴とする水素ガスセンサに用いられる薄膜状の金属酸化物イオン伝導体の製造方法。
IPC (4件):
G01N 27/416 ( 200 6.01) ,  C01B 13/14 ( 200 6.01) ,  C01G 25/00 ( 200 6.01) ,  G01N 27/409 ( 200 6.01)
FI (4件):
G01N 27/46 371 G ,  C01B 13/14 Z ,  C01G 25/00 ,  G01N 27/58 B
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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