特許
J-GLOBAL ID：201103088552928995
プラズマ処理方法と装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
廣澤 勲
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-195125
公開番号（公開出願番号）：特開2007-012560
特許番号：特許第4686668号
出願日： 2005年07月04日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 内部を真空にすることができる真空容器と、この真空容器に設けられ前記真空容器内に磁場を形成する磁石と、前記真空容器内で間隔を開けて互いに対向して設けられた一対の電極とを備えたプラズマ処理装置を用いてプラズマ処理を行うプラズマ処理方法において、
前記真空容器の側壁に固定され前記真空容器内に突出してマイクロ波を放射し、前記真空容器を共振器としてその真空容器内で、前記磁石とともに電子サイクロトロン共鳴によるプラズマを発生させるアンテナと、
前記真空容器内の一方の電極側に接続され直流電圧又は高周波電圧が印加されるターゲットと、
前記ターゲットに接続された切り換え部材を有し、一方の接点が前記直流電圧または前記高周波電圧を印加するターゲット用電圧源に接続され、他方の接点が接地電位に接続され、前記ターゲット用電圧源と接地電位とを前記切り換え部材により切り換える第1のスイッチと、
前記真空容器内の他方の電極に接続され前記プラズマ処理が施される基板と、
前記他方の電極に接続された切り換え部材を有し、一方の接点が高周波電源に接続され、他方の接点が接地電位に接続され、前記高周波電源と接地電位とを前記切り換え部材により切り換える第2のスイッチとを設け、
ドライエッチングを行う場合には、前記第1のスイッチを前記接地電位に接続し、前記第2のスイッチを前記高周波電源に接続するとともに、排気された前記真空容器に反応性ガスを導入し、前記アンテナからマイクロ波を前記真空容器内に放射し、前記アンテナから放射されたマイクロ波によりプラズマを発生させ、前記永久磁石の作るミラー磁場に前記プラズマを閉じ込め、そのプラズマ中のイオンにより前記他方の電極上の前記基板を衝撃し、
スパッタリングを行う場合に、前記ターゲットが導電性の場合には前記ターゲット用電圧源を前記直流電圧として、前記第1のスイッチを前記ターゲット用電圧源に接続し、前記第2のスイッチを前記接地電位に接続し、排気された前記真空容器に不活性ガスを導入してプラズマを発生させ、前記ターゲットが絶縁性の場合には前記ターゲット用電圧源を前記高周波電圧として、前記第1のスイッチを前記ターゲット用電圧源に接続し、前記第2のスイッチを前記接地電位に接続してプラズマを発生させ、
前記スパッタリングに際して、前記ミラー磁場に前記プラズマを閉じ込め、前記プラズマ中のイオンが前記久磁石の作る前記ミラー磁場と前記ターゲットに印加された電圧の作る電界とが直交する箇所で、前記ターゲットに向かう力を受け、前記ターゲットの表面を衝撃し、
前記真空容器内で前記各プラズマにより、ドライエッチング処理とスパッタリング処理を連続的に行うことを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (2件)：
H05H 1/46 ( 200 6.01)
, H01L 21/3065 ( 200 6.01)
H05H 1/46 C
, H01L 21/302 101 D
出願人引用 (14件)
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審査官引用 (16件)
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