特許
J-GLOBAL ID:201103088794476533

MOSトランジスタの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 早瀬 憲一
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-142500
公開番号(公開出願番号):特開平4-342141
特許番号:特許第2859465号
出願日: 1991年05月17日
公開日(公表日): 1992年11月27日
請求項(抜粋):
【請求項1】 半導体基板上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲートポリシリコン層の上層として金属膜を形成し低抵抗化されたMOSトランジスタの製造方法において、半導体基板上に素子分離層、ゲート絶縁膜、ゲートポリシリコン層を順次積層する工程と、前記工程により形成された層の上に金属膜を形成する工程と、前記金属膜上に第1の絶縁膜を形成する工程と、写真製版によりゲートのパターニングとエッチングを行った後、イオン注入によりソース・ドレイン部の不純物拡散領域をゲート電極部の両側に設ける工程と、前記ゲートの両側面に第2の絶縁膜からなるサイドウォールを、前記素子分離層によって分離された素子形成領域において、前記金属膜上に形成されている前記第1の絶縁膜の側面のほぼ全面を覆うように形成してから、前記ソース・ドレイン部上と前記第1の絶縁膜上と前記サイドウォール上とに高融点金属膜を堆積し、その後にアニール処理、および前記第1の絶縁膜上と前記サイドウォール上の未反応高融点金属膜の除去処理をすることによって、前記ソース・ドレイン部のシリサイド化を行う工程とを備えたことを特徴とする、MOSトランジスタの製造方法。
IPC (2件):
H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (1件):
H01L 29/78 301 P
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開昭63-227060
  • 特開昭62-066679
  • 特開平3-191574

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