特許

J-GLOBAL ID：201103095049678538

薄膜形成方法および薄膜形成装置

発明者： 楠 正暢 ,  原田 啓太郎 ,  横尾 政好 ,  高野 祥暢
出願人/特許権者： 東北精機工業株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-511371
特許番号：特許第4414428号
出願日： 2004年03月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】形成する薄膜のもとになる材料を微粒子状にし、微粒子状にした前記材料を基板の第1主面上およびその裏面(以下、第2主面という)上に導き、堆積させて、前記基板の第1主面および第2の主面に同時に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、前記基板の第1主面および第2主面を露出させておき、前記微粒子状にした前記材料を前記基板の第1主面上および第2主面上に導く際に、収斂させて密度を高めながら導くことを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (4件)：

C23C 14/34 ( 200 6.01) ,  C23C 14/24 ( 200 6.01) ,  C23C 16/44 ( 200 6.01) ,  H01L 39/24 ( 200 6.01)

FI (4件)：

C23C 14/34 ZAA S ,  C23C 14/24 S ,  C23C 16/44 A ,  H01L 39/24 D

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 成膜装置、方法及び成膜製品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-210940   出願人：株式会社小松製作所
• 半導体の製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-211532   出願人：富士通株式会社
• 特公平7-075689
  

審査官引用 (3件)

• 成膜装置、方法及び成膜製品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-210940   出願人：株式会社小松製作所
• 半導体の製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-211532   出願人：富士通株式会社
• 特公平7-075689