特許
J-GLOBAL ID:201103097561632232

MOS型電界効果トランジスタの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹 (外2名)
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平1-027999
公開番号(公開出願番号):特開平2-206133
特許番号:特許第2503626号
出願日: 1989年02月06日
公開日(公表日): 1990年08月15日
請求項(抜粋):
【請求項1】絶縁体基板上の単結晶半導体薄膜に形成するMOS型電界効果トランジスタの製造方法において、絶縁膜上に形成され、高濃度にドープされた半導体膜を、該半導体膜の膜厚と同じ膜厚の絶縁膜によって分離する工程と、前記分離された半導体膜にソース・ドレイン領域を形成する工程と、低濃度にドープされた半導体膜を前記ソース・ドレイン領域間を分離した絶縁膜上に堆積する工程と、前記低濃度にドープされた半導体膜を単結晶化し、チャネル領域を形成する工程とを含むことを特徴とするMOS型電界効果トランジスタの製造方法。
IPC (2件):
H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (2件):
H01L 29/78 618 D 9056-4M ,  H01L 29/78 616 L 9056-4M
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 特開昭56-081460

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