特許
J-GLOBAL ID:201103097923755311

半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高橋 敬四郎
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-374670
公開番号(公開出願番号):特開2001-189523
特許番号:特許第4514868号
出願日: 1999年12月28日
公開日(公表日): 2001年07月10日
請求項(抜粋):
【請求項1】 半導体基板の主面上に、半導体材料からなる活性層を形成する工程と、 前記活性層の上に、前記活性層よりも屈折率の小さな第1の半導体材料からなる第1のクラッド層を成長させる工程と、 前記第1のクラッド層の上に、前記第1の半導体材料とはエッチング耐性の異なる第2の半導体材料からなる下キャップ層を成長させる工程と、 前記下キャップ層の上に、前記第2の半導体材料とはエッチング耐性の異なる第3の半導体材料からなる上キャップ層を成長させる工程と、 前記上キャップ層の表面のうち一部の領域をマスクパターンで覆う工程と、 前記マスクパターンをエッチングマスクとして前記上キャップ層をエッチングし、該マスクパターンで覆われていない領域に前記下キャップ層を露出させる工程と、 露出した前記下キャップ層をエッチングするとともに、前記マスクパターンの下方の該下キャップ層を横方向にエッチングし、該マスクパターンを庇状に残す工程と、 前記下キャップ層をエッチングマスクとして、前記第1のクラッド層をエッチングする工程と、 前記第1のクラッド層をエッチングマスクとして、前記活性層をエッチングする工程と、 前記活性層がエッチングされた領域上に成長し、前記マスクパターンの表面上には成長しない条件で、半導体材料からなる光導波路層を、前記活性層とバットジョイントするように選択的に成長させる工程と、 前記光導波路層の上に成長し、前記マスクパターンの表面上には成長しない条件で、前記光導波路層よりも屈折率の小さな半導体材料からなる第2のクラッド層を選択的に成長させる工程と を有し、前記上キャップ層をエッチングする工程において、該上キャップ層がサイドエッチングされないか、または該上キャップ層のサイドエッチング量が、前記下キャップ層をエッチングする工程における該下キャップ層のサイドエッチング量よりも少ない半導体装置の製造方法。
IPC (3件):
H01S 5/12 ( 200 6.01) ,  H01L 21/306 ( 200 6.01) ,  H01L 27/15 ( 200 6.01)
FI (3件):
H01S 5/12 ,  H01L 21/306 B ,  H01L 27/15 C
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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