特許
J-GLOBAL ID:201103098450956078
光電変換素子
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
中山 亨
, 坂元 徹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-243449
公開番号(公開出願番号):特開2011-249757
出願日: 2010年10月29日
公開日(公表日): 2011年12月08日
要約:
【課題】短絡電流密度及び光電変換効率が大きい光電変換素子を提供する。【解決手段】第1の電極と第2の電極とを有し、該第1の電極と該第2の電極との間に活性層を有し、該活性層に式(1)で表される構造単位を有する化合物を含有する光電変換素子。〔式中、Ar1及びAr2は、同一又は相異なり、3価の芳香族炭化水素基又は3価の複素環基を表す。ただし、Ar1及びAr2のうち、少なくとも一方は3価の複素環基である。X1及びX2は、同一又は相異なり、-O-、-S-、-C(=O)-、-S(=O)-、-SO2-、-C(R50)(R51)-、-Si(R3)(R4)-、-N(R5)-、-B(R6)-、-P(R7)-又は-P(=O)(R8)-を表す。〕【選択図】なし
請求項(抜粋):
第1の電極と第2の電極とを有し、該第1の電極と該第2の電極との間に活性層を有し、該活性層に式(1)で表される構造単位を有する化合物を含有する光電変換素子。
IPC (5件):
H01L 51/42
, H01L 51/05
, H01L 51/30
, H01L 29/786
, C08G 61/12
FI (5件):
H01L31/04 D
, H01L29/28 100A
, H01L29/28 250G
, H01L29/78 618B
, C08G61/12
Fターム (34件):
4J032BA02
, 4J032BA05
, 4J032BA07
, 4J032BA12
, 4J032BA20
, 4J032BA25
, 4J032BB03
, 4J032BB06
, 4J032BB09
, 4J032BC03
, 4J032BC12
, 4J032BD07
, 4J032CG01
, 5F110CC07
, 5F110DD05
, 5F110DD13
, 5F110EE08
, 5F110FF02
, 5F110FF23
, 5F110GG05
, 5F110GG06
, 5F110GG25
, 5F110GG42
, 5F110GG57
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK21
, 5F110HK32
, 5F151AA11
, 5F151CB13
, 5F151DA07
, 5F151FA04
, 5F151FA06
, 5F151GA03
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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引用文献:
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