文献

J-GLOBAL ID：201202129418952539   整理番号：12A1355806

MOVPE選択エリア法によりパターニングしたGaAs基板上に形成されたInAs量子ドットの研究

Study of InAs Quantum Dots Formed on Patterned GaAs Substrates by Selective Area MOVPE

著者 (3件)： AN Haiyan (Hokkaido Univ.) ,  MOTOHISA Junichi (Hokkaido Univ.) ,  FUKUI Takashi (Hokkaido Univ.)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 61st  号： 3  ページ： 1148  発行年： 2000年09月03日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： MOVPE ,  エリア ,  パターニング ,  GaAs基板 ,  InAs量子ドット ,  研究