文献

J-GLOBAL ID：201202200909736427   整理番号：12A0191934

X線回折による格子不整合InGaAs/GaAsにおける歪緩和の実時間研究

REAL-TIME STUDY OF STRAIN RELAXATION IN LATTICE-MISMATCHED INGAAS/GAAS BY X-RAY DIFFRACTION

著者 (10件)： SASAKI Takuo (Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN) ,  SUZUKI Hidetoshi (Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN) ,  SAI Akihisa (Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN) ,  LEE Jong-Han (Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN) ,  TAKAHASI Masamitu (Japan Atomic Energy Agency, Hyogo, JPN) ,  FUJIKAWA Seiji (Japan Atomic Energy Agency, Hyogo, JPN) ,  ARAFUNE Koji (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  KAMIYA Itaru (Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN) ,  OHSHITA Yoshio (Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN) ,  YAMAGUCHI Masafumi (Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN)
資料名： Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference  (Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference)
巻： 34th Vol.3  ページ： 2017-2020  発行年： 2009年 
JST資料番号： E0756A  ISSN： 0160-8371  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 格子不整合システムにおける歪緩和を理解するために,In_0.12Ga_0.88As/GaAs(001)エピタキシャル成長中のその場実時間X線回折測定を始めて行った。004回折の逆格子空間マップを得ることによって,層厚みの関数として残留歪の進展と結晶品質を同時に評価することができた。時間進展の中で,5種類の厚み範囲に分類し,各相における支配的な転位挙動を推論した。

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  X線回折 ,  *格子不整合 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  ヒ化ガリウム ,  緩和現象 ,  構造解析 ,  残留歪
準シソーラス用語： 化合物太陽電池 ,  歪緩和

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： X線回折 ,  格子不整合 ,  InGaAs ,  GaAs ,  歪緩和 ,  実時間 ,  研究