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J-GLOBAL ID：201202230327108177   整理番号：12A0221611

鋳型成長ポリシリコンの電気特性と境界構造

ELECTRICAL PROPERTIES AND BOUNDARY STRUCTURES IN CAST-GROWN POLYCRYSTALLINE SILICON

著者 (5件)： KOJIMA Takuto (Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN) ,  OHSHITA Yoshio (Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN) ,  TACHIBANA Tomihisa (Meiji Univ., Kawasaki, JPN) ,  OGURA Atsushi (Meiji Univ., Kawasaki, JPN) ,  YAMAGUCHI Masafumi (Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN)
資料名： Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference  (Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference)
巻： 35th Vol.2  ページ： 1419-1422  発行年： 2010年 
JST資料番号： E0756A  ISSN： 0160-8371  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリシリコンの粒界に対する焼鈍効果に関し,電子ビーム誘導電流法を用いて小角及びコインシデンス格子(CSL)におけるキャリア再結合速度(CRV)を調べた。小角境界におけるCRVはCSL境界におけるそれよりも一桁大きかった。1000°Cの焼鈍では欠陥形成と不純物偏析により,粒界におけるCRVは劇的に増大した。

シソーラス用語： 鋳型【鋳造】 ,  結晶成長 ,  *ポリシリコン ,  電気特性 ,  境界 ,  *結晶粒界 ,  *キャリア再結合 ,  焼なまし ,  電子線誘起電流 ,  格子欠陥 ,  偏析 ,  不純物 ,  コインシデンス格子
準シソーラス用語： 再結合速度 ,  走査電子顕微鏡観察

分類 (1件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 鋳型 ,  成長 ,  ポリシリコン ,  電気特性