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J-GLOBAL ID：201202233585534899   整理番号：12A0960463

GaN表面の誘導結合プラズマエッチングによるAl₂O₃/n-GaN構造の界面特性

Interface Properties of Al₂O₃/n-GaN Structures with Industively Coupled Plasma Etching of GaN Surfaces

著者 (12件)： KIM Sungsik (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  HORI Yujin (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  MA Wang-Cheng (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  KIKUTA Daigo (Toyota Central R&D Labs. Inc., Aichi, JPN) ,  NARITA Tetsuo (Toyota Central R&D Labs. Inc., Aichi, JPN) ,  IGUCHI Hiroko (Toyota Central R&D Labs. Inc., Aichi, JPN) ,  UESUGI Tsutomu (Toyota Central R&D Labs. Inc., Aichi, JPN) ,  UESUGI Tsutomu (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  KACHI Tetsu (Toyota Central R&D Labs. Inc., Aichi, JPN) ,  KACHI Tetsu (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  HASHIZUME Tamotsu (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  HASHIZUME Tamotsu (JST-CREST, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 6,Issue 1  ページ： 060201.1-060201.3  発行年： 2012年06月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層堆積(ALD)によって製膜したAl₂O₃/GaN構造の界面特性に及ぼすGaNのCl₂系誘導結合プラズマ(ICP)エッチングの効果を調査した。低転位密度の自立型n⁺-GaN基板上に成長したn-GaN層を用いた。ICPエッチングは,GaN表面で化学結合のわずかな無秩序化,並びに,Al₂O₃/GaN界面で単分子層レベルの界面粗さを引き起こした。この結果として,窒素空孔(V_N)に関連した準位を含んだ高密度界面状態になり,キャパシタンス-電圧(C-V)特性が悪化した。N₂中,400°Cでのポストアニーリングプセロスによって,C-V特性が大幅に改善した。これは,おそらく,GaN表面領域におけるV_N関連欠陥の部分的回復,並びに,化学結合の秩序化の増加によるものであった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 誘導結合プラズマ ,  *プラズマエッチング ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  原子層エピタクシー ,  半導体薄膜 ,  *酸化アルミニウム ,  *界面 ,  転位密度 ,  表面粗さ ,  空孔欠陥 ,  *容量電圧特性
準シソーラス用語： 低転位密度 ,  窒素空孔

分類 (1件)： その他の半導体を含む系の接触  (BM03086O)

引用文献 (26件)：

• 1) Y Uemoto et al.: IEEE Trans Electron Devices 54 (2007) 3393.
• 2) K. Ota et al.: IEDM Tech. Dig., 2009, p. 153.
• 3) H. Kambayashi et al.: Solid-State Electron. 54 (2010) 660
• 4) M. Kanamura et al.: IEEE Electron Device Lett. 31 (2010) 189.
• 5) H Hahn et al.: Appl. Phys. Express 4 (201 1) 114102.

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  誘導結合プラズマ ,  エッチング ,  Al2O3 ,  界面特性