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J-GLOBAL ID：201202237128456217   整理番号：12A0184570

GaAs上の格子不整合InGaAsにおける格子欠陥に対するアニーリング効果

ANNEALING EFFECTS ON LATTICE DEFECTS IN LATTICE MISMATCHED INGAAS ON GAAS

著者 (6件)： SASAKI T. (Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN) ,  ARAFUNE K. (Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN) ,  SAI A. (Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN) ,  OHSHITA Y. (Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN) ,  KAMIYA I. (Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN) ,  YAMAGUCHI M. (Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN)
資料名： Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference  (Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference)
巻： 33rd Vol.1  ページ： 335-338  発行年： 2008年 
JST資料番号： E0756A  ISSN： 0160-8371  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 格子不整合InGaP/In_0.16Ga_0.84As/Ge三重接合太陽電池の方が通常の格子整合太陽電池よりも変換効率が高いことが理論的に予測されている。格子不整合システムの問題はIn_0.16Ga_0.84AsとGe間の1%の格子不整合である。格子不整合による歪緩和で転位が入るが,高効率の格子不整合太陽電池実現には転位密度と残留歪を下げなければならない。GaAs基板上の格子不整合InGaAsで格子緩和と欠陥に対する熱アニーリング効果を調べた。シュードモルフィックInGaAs薄膜ではアニーリングで格子緩和が生じる。部分的に緩和した厚いInGaAsでは格子緩和が強まり,転位分布が変化する。格子不整合InGaAs層では2段階成長が残留歪と転位密度低減に効果的なことを見つけた。

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  格子不整合 ,  *格子欠陥 ,  *焼なまし ,  太陽電池 ,  緩和現象 ,  転位【結晶】 ,  転位密度 ,  残留歪 ,  構造緩和
準シソーラス用語： GaAs ,  InGaAs ,  アニーリング ,  格子緩和 ,  歪緩和

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs ,  格子不整合 ,  InGaAs ,  格子欠陥 ,  アニーリング効果