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J-GLOBAL ID：201202244065781542   整理番号：12A0723236

オン状態バイアスストレスを受けたAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスターの非局在トラップ効果

Non-localized trapping effects in AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors subjected to on-state bias stress

著者 (2件)： HU Cheng-yu (Res. Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Sci. and Technol. ...) ,  HASHIZUME Tamotsu (Res. Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Sci. and Technol. ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 8  ページ： 084504-084504-9  発行年： 2012年04月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスターについて,オン状態バイアスストレス(オンストレス)誘起トラップ効果を,ゲート端でだけではなく,全部のドレインアクセス領域にわたって観察した。しかしながら,オンストレスの適用の間に,最も高い電界はただゲート端のドレインサイドに局在されただけであった。リファレンスとして最も高い電界の場所を使用して,ゲート端とより離れたアクセス領域でのトラップ効果をそれぞれ局在的と非局在的トラップ効果として述べた。二次元電子ガスセンシングバー(2DEGセンシングバー)とデュアルゲート構造を用いて,非局在的トラップ効果を調べ,トラップ濃度を-1.3×10^-12cm^-2であると測定した。パッシベーションの効果も論じた。表面漏れ電流とホットエレクトロンの両方が,優性効果を有するホットエレクトロンの非局在トラップ効果に関与することが分かった。ホットエレクトロンが2DEGチャンネルから生成されるから,関連したトラップは主にGaNバッファ層中にある可能性が高い。単色光照射(1.24~2.81eV)を使って,非局在トラップ効果に関与するトラップ準位はGaNの価電子帯から0.6~1.6eVに局在していることが判明した。トラップ支援衝突イオン化と直接チャネル電子注入の両方を,ホットエレクトロンに関連する非局在トラップ効果の可能なメカニズムとして提案する。最後に,2DEGセンシングバー構造を用いて,著者らはブロックゲート注入電子がAl₂O₃パッシベーションの重要なメカニズムであることを直接的に確認した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  ヘテロ接合 ,  *FET【トランジスタ】 ,  アルミナ ,  バッファ層 ,  ホットエレクトロン ,  二次元電子ガス ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  バイアス ,  衝突イオン化 ,  キャリア注入 ,  *キャリア捕獲 ,  ドレイン【半導体】 ,  漏れ電流 ,  状態 ,  不動態化
準シソーラス用語： AlGaN/GaN ,  デュアルゲート ,  パッシベーション ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  電子注入 ,  非局在化 ,  HFET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： オン状態 ,  バイアス ,  ストレス ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ接合 ,  電界効果トランジスター ,  トラップ