文献

J-GLOBAL ID：201202274364015410   整理番号：12A1065062

国際宇宙ステーション時代の結晶成長 その1 InGaSb三元混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果

Effect of Gravity on the Growth of InGaSb Ternary Alloy Semiconductor Bulk Crystals

著者 (7件)： 早川泰弘 (静岡大 電子工研) ,  ARIVANANDHAN Mukannan (静岡大 電子工研) ,  田中昭 (静岡大 電子工研) ,  岡野泰則 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  小澤哲夫 (静岡理工科大 理工) ,  新船幸二 (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  稲富裕光 (宇宙航空研究開発機構 宇宙科研)
資料名： 日本結晶成長学会誌  (Journal of the Japanese Association of Crystal Growth)
巻： 39  号： 1  ページ： 23-31  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： F0452B  ISSN： 0385-6275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： GaSb(111)/InSb/GaSb(111)Bサンドイッチ構造試料を用いて中国回収衛星実験を実施し,重力がInGaSb混晶半導体バルク結晶の固液界面形状と組成分布に及ぼす効果を明らかにした。微小重力環境下では試料径方向にほぼ平行に溶解が起こり,組成分布も半径方向に均一になることを見出した。一方,地上では溶質の密度差に起因した対流が生じるために,溶解領域は重力方向に対して末広がりとなり,組成分布も重力方向に不均一であった。X線透過法を用いてInSb融液中へのGaSb溶解過程のその場観察を行なった。その結果,低温側に位置するGaSb種結晶の方が高温側に位置するGaSb供給原料よりもInSb融液に溶解しやすいことを明瞭に示した。温度勾配徐冷法を熱パルス法を組み合わせて,均一組成のInGaSbバルク結晶を成長させた。

シソーラス用語： *混晶半導体 ,  化合物半導体 ,  中華人民共和国 ,  実験 ,  *微小重力 ,  サンドイッチ構造 ,  アンチモン化インジウム ,  *液相成長 ,  アンチモン化物 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  固液界面 ,  対流 ,  透過 ,  温度勾配 ,  徐冷
準シソーラス用語： 三元半導体 ,  衛星実験 ,  組成分布 ,  X線透過

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 宇宙ステーション ,  結晶成長 ,  InGaSb ,  混晶半導体 ,  バルク ,  重力効果