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J-GLOBAL ID:201202274720356333   整理番号:12A0591376

レーザー照射を利用したZnOナノ結晶成長制御

Growth control of ZnO nano-crystals using laser irradiation
著者 (6件):
資料名:
巻: OQD-12  号: 1-11  ページ: 15-19  発行年: 2012年03月09日 
JST資料番号: Z0922A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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NAPLD(ナノ微粒子支援レーザ堆積法)において作成条件を変えることで薄膜とナノ結晶を積層堆積した。特に,ZnOナノ結晶を堆積する前に,サファイア基板上にバッファ層として薄膜を堆積させる,具体的にはバッファ層によるZnOナノワイヤの密度制御,およびバッファ層へのレーザ照射による成長位置制御を試みた。バッファ層の堆積時間を変化させてバッファ層上に成長するZnOナノワイヤの密度の変化を確認した。そして,レーザ照射したバッファ層へZnOナノワイヤを作製した。レーザ照射によりバッファ層の表面粗さが低減し,照射部ではZnOナノワイヤ成長密度の低下があった。成長位置制御の試みとして,4光束干渉光学系を利用したバッファ層へレーザ照射した。その結果,干渉パターンに対応した周期構造のZnOナノ結晶が得られ,成長位置制御の可能性を示した。レーザ照射強度を制御してZnOナノ結晶の構造制御の可能性も示した。
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分類 (2件):
分類
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半導体の結晶成長  ,  固体デバイス製造技術一般 
引用文献 (22件):
タイトルに関連する用語 (4件):
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