抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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NAPLD(ナノ微粒子支援レーザ堆積法)において作成条件を変えることで薄膜とナノ結晶を積層堆積した。特に,ZnOナノ結晶を堆積する前に,サファイア基板上にバッファ層として薄膜を堆積させる,具体的にはバッファ層によるZnOナノワイヤの密度制御,およびバッファ層へのレーザ照射による成長位置制御を試みた。バッファ層の堆積時間を変化させてバッファ層上に成長するZnOナノワイヤの密度の変化を確認した。そして,レーザ照射したバッファ層へZnOナノワイヤを作製した。レーザ照射によりバッファ層の表面粗さが低減し,照射部ではZnOナノワイヤ成長密度の低下があった。成長位置制御の試みとして,4光束干渉光学系を利用したバッファ層へレーザ照射した。その結果,干渉パターンに対応した周期構造のZnOナノ結晶が得られ,成長位置制御の可能性を示した。レーザ照射強度を制御してZnOナノ結晶の構造制御の可能性も示した。