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J-GLOBAL ID：201202283510304143   整理番号：12A0495285

バルク及び完全空乏型シリコンオンインシュレータ金属酸化物半導体電界効果トランジスタにおけるドレイン誘起バリア低下及び電流開始電圧変動性のゲート長及びゲート幅依存性

Gate Length and Gate Width Dependence of Drain Induced Barrier Lowering and Current-Onset Voltage Variability in Bulk and Fully Depleted Silicon-on-Insulator Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors

著者 (3件)： KUMAR Anil (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  MIZUTANI Tomoko (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 2,Issue 1  ページ： 024106.1-024106.5  発行年： 2012年02月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この論文は,バルク及び完全空乏型(FD)シリコンオンインシュレータ(SOI)素子における,新しく見いだされた,「電流開始電圧」(COV)変動性と呼ばれるドレイン電流変動性成分,及びドレイン誘起バリア低下(DIBL)変動性の,統計解析を述べる。集中的な変動性測定データは,バルク金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)における,ゲート長及びゲート幅依存するCOV変動性及びDIML変動性が,Pelgromプロットにおける直線から外れることを示す。他方FD SOI MOSFETにおけるCOV変動性とDIBL変動性は,直線上に置かれる。それらの機構を,ランダムドーパントゆらぎ(RDF)を考慮に入れる,三次元(3D)素子シミュレーションに基づいて論じる。より小さい素子におけるCOV及びDIBL変動性の飽和は,チャネルポテンシャルのより弱い平均化効果によって引き起されることを見いだす。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *SOI構造 ,  ドレイン【半導体】 ,  障害物 ,  電流 ,  開始 ,  電圧 ,  変動 ,  ゲート【半導体】 ,  長さ ,  幅 ,  統計解析 ,  可変性 ,  測定データ ,  ドーパント ,  ゆらぎ ,  シミュレーション ,  飽和
準シソーラス用語： バリア

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (28件)：

• 1) M. J. M. Pelgrom, A. C. Duinmaijer, and A. P. G. Welbers: IEEE J. Solid-State Circuits 24 (1989) 1433.
• 2) T. Mizuno, J. Okamura, and A. Toriumi: IEEE Trans. Electron Devices 41 (1994) 2216.
• 3) K. Takeuchi, T. Tatsumi, and A. Furukawa: IEDM Tech. Dig., 1997, p. 841.
• 4) A. Asenov: IEEE Trans. Electron Devices 45 (1998) 2505.
• 5) Y. Yasuda, M. Takamiya, and T. Hiramoto: IEEE Trans. Electron Devices 47 (2000) 1838.

タイトルに関連する用語 (11件)： バルク ,  シリコンオンインシュレータ ,  金属酸化物半導体 ,  電界効果トランジスタ ,  ドレイン ,  誘起 ,  バリア ,  電圧変動 ,  ゲート長 ,  ゲート幅 ,  依存性