文献

J-GLOBAL ID：201202284966692001   整理番号：12A0543253

光照射局所コンダクタンス変調法を用いたGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形伝達特性評価と動作機構の検討

Study on nonlinear transfer characteristics in a GaAs three-branch nanowire junction device using a light-induced local conductance modulation method

著者 (3件)： 佐藤将来 ,  村松徹 ,  葛西誠也
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 111  号： 426(SDM2011 159-175)  ページ： 95-99  発行年： 2012年01月31日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体ナノワイヤ3分岐接合(TBJ)デバイスは,単純な構造ながら室温において特異な非線形特性を示し,アナログ回路やディジタル回路などへの様々な応用が期待されている。応用のためには動作機構に対する理解を深めることが不可欠である。本研究では,エッチングで形成したGaAsナノワイヤTBJデバイスへの光照射により局所的にコンダクタンスを増加させ構造中のコンダクタンスのドメイン箇所を同定する方法で非線形特性の評価を行い,これに基づき非線形動作の機構について検討する。(著者抄録)

シソーラス用語： *光照射 ,  *コンダクタンス ,  ヒ化ガリウム ,  *ナノワイヤ ,  *非線形性 ,  *電流電圧特性 ,  *入出力特性 ,  半導体接合 ,  アナログ回路 ,  ディジタル回路 ,  ケイ素 ,  *CMOS構造
準シソーラス用語： 三分岐接合

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (9件)： 光照射 ,  コンダクタンス ,  変調 ,  GaAs ,  ナノワイヤ ,  分岐 ,  非線形 ,  伝達特性 ,  評価