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J-GLOBAL ID：201202286508883674   整理番号：12A0895128

半絶縁性並びにn型の4H-SiCにおける超高速キャリアとコヒーレントフォノン動力学

Ultrafast carrier and coherent phonon dynamics in semi-insulated and n-type 4H-SiC

著者 (5件)： KATO Keiko (NTT Basic Res. Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corp., 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa ...) ,  OGURI Katsuya (NTT Basic Res. Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corp., 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa ...) ,  ISHIZAWA Atsushi (NTT Basic Res. Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corp., 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa ...) ,  NAKANO Hidetoshi (NTT Basic Res. Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corp., 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa ...) ,  SOGAWA Tetsuomi (NTT Basic Res. Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corp., 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 11  ページ： 113520-113520-6  発行年： 2012年06月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 時間分解反射率測定を使い半絶縁性(SI)並びにn型の4H-SiCにおける超高速キャリアとフォノン動力学を調べた。n型4H-SiCにおいて,伝導バンド間遷移でキャリアは励起され,そして20fs以内の電子-電子散乱により熱せられる。折畳まれたフォノンモードのコヒーレントフォノンを観測し,これはゾーン折畳みの結果,そしてA₁対称縦光学(A₁-LO)フォノンモードのそれとしてRaman活性になる。n型SiCにおいて,A₁-LOコヒーレントフォノンは,非対称広がりFourier変換スペクトルに見られるプラズモンとの結合モードを形成する。インパルス誘導Raman散乱がSIとn型4H-SiC両者におけるE₂対称横光学とA₁-LOモードのコヒーレントフォノンを生成する機構である事を,分極依存性と正弦波タイプの初期位相が示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *電気的性質 ,  N型半導体 ,  *フォノン ,  コヒーレント状態 ,  動力学 ,  *電子遷移 ,  電子散乱 ,  光学モード ,  縦モード ,  横モード ,  プラズモン ,  誘導Raman散乱 ,  計測 ,  *キャリア ,  *反射率
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  キャリア動力学 ,  *コヒーレントフォノン ,  バンド間遷移 ,  *フォノンモード ,  結合モード ,  時間分解法 ,  *半絶縁性 ,  反射率測定

分類 (2件)： 結晶中のフォノン・格子振動  (BL03020Z) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 半絶縁性 ,  4H-SiC ,  キャリア ,  コヒーレントフォノン ,  動力学