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J-GLOBAL ID：201202290952535817   整理番号：12A1221628

電気二重層トランジスタを用いた酸化物薄膜の超伝導制御

Electrostatic modulation of superconductivity in oxide single crystal thin films by electric double layer transistor configuration

著者 (1件)： 上野和紀 (東大)
資料名： 日本板硝子材料工学助成会成果報告書(CD-ROM)  (Nippon Sheet Glass Foundation for Materials Science and Engineering Report (CD-ROM))
巻： 30  ページ： 21-26  発行年： 2012年 
JST資料番号： X0948B  ISSN： 1883-3128  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 電界効果を用いた界面での超伝導制御の研究は1960年のインジウム超薄膜での報告にさかのぼる長い歴史を持つ。しかしながら,従来は電界効果で変調可能なキャリア濃度がトランジスタの絶縁破壊電界で制限されてきた。我々はトランジスタの絶縁層にイオン伝導性の電解液を採用した電気二重層トランジスタという新しいデバイスを開発し,酸化物半導体KTaO₃表面で3x10¹⁴cm^-2,3次元の電子濃度にして結晶1格子あたり0.2個という巨大なキャリア濃度制御に成功した。この値は従来の化学ドーピング法で誘起可能な最大キャリア濃度を10倍上回る。このような高濃度キャリアドーピング状態において我々は従来超伝導にならないとされてきたKTaO₃で超伝導を発見した。本研究は電場誘起によるキャリア誘起手法が新規材料開発に有用であることを証明するものである。(著者抄録)

シソーラス用語： *タンタル酸カリウム ,  酸化物 ,  薄膜 ,  トランジスタ ,  電気二重層 ,  イオン伝導 ,  *電解液 ,  化合物半導体 ,  *キャリア密度 ,  絶縁耐力 ,  *電場効果 ,  キャリア注入 ,  ドーピング ,  *超伝導体 ,  *イオン液体 ,  アンモニウム化合物
準シソーラス用語： *キャリアドーピング ,  キャリア濃度 ,  *酸化物薄膜 ,  酸化物半導体 ,  絶縁耐圧 ,  *電気二重層トランジスタ

分類 (3件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (14件)：

• [1] J. G. Bednorz, K. A. Muller, Z. Phys. B 64, 189 (1986).
• [2] K. Ueno, et al., Nature Materials 7, 855 (2008).
• [3] M. J. Panzer, C. D. Frisbie, et al., Appi. Phys. Lett. 86, 103503 (2005).
• [4] J. Takeya, et al., Appi. Phys. Lett. 88, 112102 (2006).
• [5] J. H. Cho, C. D. Frisbie, et al., Nature Materials 7, 900 (2008).

タイトルに関連する用語 (3件)： 電気二重層トランジスタ ,  酸化物薄膜 ,  伝導