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J-GLOBAL ID：201202294602614450   整理番号：12A0648193

酸化スズ系半導体ガスセンサの基礎および応用技術の研究開発

著者 (1件)： 大西久男 (大阪ガス)
資料名： 電気化学会大会講演要旨集
巻： 79th  ページ： 28  発行年： 2012年03月29日 
JST資料番号： Y0048A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ガスセンサ ,  *酸化スズ ,  *半導体材料 ,  *電気抵抗率 ,  電子密度 ,  キャリア ,  *表面反応 ,  電気伝導率 ,  反応速度 ,  水素 ,  酸素 ,  吸着 ,  *半導体薄膜 ,  *選択性 ,  RFスパッタリング ,  製膜 ,  酸化 ,  触媒活性 ,  積層構造 ,  電気化学反応 ,  磁場効果 ,  微細構造 ,  アルカン
準シソーラス用語： 選択酸化

分類 (6件)： 分析機器  (CC02020S) ,  界面化学一般  (CB12010J) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  電気化学一般  (CB07010N)

物質索引 (1件)： メタン

タイトルに関連する用語 (6件)： 酸化スズ ,  ガスセンサ ,  基礎 ,  応用 ,  研究 ,  開発