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J-GLOBAL ID：201202296739780903   整理番号：12A0099658

固体THz波増幅器に対するGaAsベースの交差指形ゲートHEMTデバイスの設計,組み立て,および特徴付け

Design, Fabrication and Characterization of GaAs-Based Interdigital-Gated HEMT Devices for Solid-State THz Wave Amplifiers

著者 (5件)： HASHIM Abdul Manaf (Universiti Teknologi Malaysia, Johor, MYS) ,  KASAI Seiya (Hokkaido Univ., Hokkaido, JPN) ,  IIZUKA Kouichi (Kanto Polytechnic Coll., Oyama, JPN) ,  HASHIZUME Tamotsu (Hokkaido Univ., Hokkaido, JPN) ,  HASEGAWA Hideki (Hokkaido Univ., Hokkaido, JPN)
資料名： AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)
巻： 909  ページ： 180-185  発行年： 2007年 
JST資料番号： D0071C  ISSN： 0094-243X  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (10件)： 固体 ,  THz波 ,  増幅器 ,  GaAs ,  交差 ,  指 ,  ゲート ,  HEMT ,  設計 ,  組み立て