特許

J-GLOBAL ID：201203039455155988

テラヘルツ電磁波発生素子

発明者： 岡野 正登
出願人/特許権者： ナルックス株式会社
代理人 (1件)： 伏見 直哉
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2010002558
公開番号（公開出願番号）：WO2010-119646
出願日： 2010年04月07日
公開日（公表日）： 2010年10月21日
要約：

テラヘルツ電磁波発生素子は発生層(101)と、その両側に設けた複数対の層構造(103A、103B)と、を備える。前記層構造は、第1の層(105)と、前記第1の層の、前記発生層と反対側に設けた第2の層(1073)と、前記第2の層の、両面に設けた、使用されるテラヘルツ電磁波の波長より小さい格子周期を有する第1の格子(1071)及び第2の格子(1075)と、を備える。前記第1の層の媒質の屈折率(第1の屈折率)は、前記第2の層の媒質の屈折率(第2の屈折率)よりも低く、前記第1及び第2の格子は、前記第1の層と前記第2の層との間の屈折率が、前記第1及び第2の屈折率の間で連続的に変化するように構成され、前記発生層が発生するテラヘルツ電磁波の中心波長に対して、所望の帯域幅を有するテラヘルツ電磁波を発生するように、前記第1及び第2の層の厚さ、ならびに格子周期及び格子高さを定めている。

請求項（抜粋）：

一方の面に光を照射したときに他方の面からテラヘルツ電磁波を射出する非線形光学物質からなる発生層と、 前記発生層の両側に設けた複数対の層構造と、を備えたテラヘルツ電磁波発生素子であって、前記複数対の層構造のそれぞれは、 第1の層と、 前記第1の層の、前記発生層と反対側に設けた第2の層と、 前記第2の層の、前記発生層の側の面に設けた、使用されるテラヘルツ電磁波の波長より小さい第1の周期及び第1の高さを有する第1の格子と、 前記第2の層の、前記発生層と反対側の面に設けた、第1の周期及び第1の高さを有する第2の格子と、を備え、 前記第1の層の媒質の屈折率(第1の屈折率)は、前記第2の層の媒質の屈折率(第2の屈折率)よりも低く、前記第1及び第2の格子は、前記第1の層と前記第2の層との間の屈折率が、前記第1及び第2の屈折率の間で徐々に変化するように構成され、前記発生層が発生するテラヘルツ電磁波の中心波長に対して、所望の帯域幅を有するテラヘルツ電磁波を発生するように、前記第1及び第2の層の厚さ、ならびに前記第1の高さを定めた、テラヘルツ電磁波発生素子。

IPC (1件)：

G02F 1/35

FI (1件)：

G02F1/35

Fターム (11件)：

2K002AA04 ,  2K002AB27 ,  2K002AB40 ,  2K002BA02 ,  2K002CA03 ,  2K002CA05 ,  2K002CA13 ,  2K002DA01 ,  2K002EA30 ,  2K002FA29 ,  2K002HA13