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J-GLOBAL ID：201302204228306605   整理番号：13A0827829

3ゲート単シリコンナノワイヤー金属酸化物半導体電界効果型トランジスタにおける側表面粗さのキャリア移動度への影響

Effects of Side Surface Roughness on Carrier Mobility in Tri-Gate Single Silicon Nanowire Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

著者 (3件)： MAO Ke (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SARAYA Takuya (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 4,Issue 2  ページ： 04CC11.1-04CC11.5  発行年： 2013年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文においては,初めて,側表面粗さの単シリコンナノワイヤー金属酸化物半導体電解効果型トランジスタ(MOSFET)における移動度挙動への影響が,直接分割キャパシタンス-電圧(C-V)法測定により得られた固有キャリア移動度データに基づいて議論される。より狭いナノワイヤーにおける移動度劣化を支配する機構を調査するために,低温測定が行われた。フォノン散乱はナノワイヤー幅にほとんど依存しないことが発見され,これはわれらの3ゲートナノワイヤーMOSFETの移動度劣化が表面粗さ散乱により引き起こされることを示す。移動度のナノワイヤー幅依存を分析することにより,側表面上のプロセス起因荒さはナノワイヤーpFETの移動度劣化の主な原因であり,側表面粗さにより引き起こされる劣化はnFETナノワイヤーにおいては無視可能であることがわかった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ナノワイヤ ,  半導体 ,  *MOSFET ,  *表面粗さ ,  *キャリア移動度 ,  側面 ,  散乱
準シソーラス用語： フォノン散乱

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (41件)：

• 1) H. Majima, H. Ishikuro, and T. Hiramoto: IEDM Tech. Dig., 1999, p. 379.
• 2) H. Majima, H. Ishikuro, and T. Hiramoto: IEEE Electron Device Lett. 21 (2000) 396.
• 3) T. Tezuka, E. Toyoda, S. Nakaharai, N. Hirashita, N. Sugiyama, N. Taoka, Y. Yamashita, O. Kiso, M. Harada, T. Yamamoto, and S. Takagi: IEDM Tech. Dig., 2007, p. 887.
• 4) O. Gunawan, L. Sekaric, A. Majumdar, M. Rooks, J. Appenzeller, J. W. Sleight, S. Guha, and W. Haensch: IEEE DRC Tech. Dig., 2008, p. 189.
• 5) J. Chen, T. Saraya, K. Miyaji, K. Shimizu, and T. Hiramoto: Jpn. J. Appl. Phys. 48 (2009) 011205.

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲート ,  シリコンナノワイヤー ,  金属酸化物半導体 ,  電界効果型トランジスタ ,  表面粗さ ,  キャリア移動度