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J-GLOBAL ID：201302205706166756   整理番号：13A1780904

室温で動作する<110>及び<100>シリコンナノワイヤー電界効果トランジスタ,及び単一電子/正孔トランジスタにおける量子閉じ込め効果の観測

Experimental Observation of Quantum Confinement Effect in 〈110〉 and 〈100〉 Silicon Nanowire Field-Effect Transistors and Single-Electron/Hole Transistors Operating at Room Temperature

著者 (4件)： SUZUKI Ryota (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NOZUE Motoki (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SARAYA Takuya (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 10,Issue 1  ページ： 104001.1-104001.10  発行年： 2013年10月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温で動作するシリコンナノワイヤー電界効果トランジスタ(FETs),及び単一電子/正孔トランジスタ(SET/SHTs)における量子閉じ込め効果をデバイス設計及び作成のために調査した。<110>及び<100>方向の共有チャネル構造を採用することにより,キャリヤーに依存するQCEを系統的に調べた。<110>ナノワイヤーのpFETsは弱いQCEのためより低いしきい値電圧(Vth)の変動を示し,<110>nFETsおよび<100>n/pFETsはQCEによる同程度のVthの変動を示した。また,SETsは<110>チャンネルの場合にのみ,明確なクーロン振動を示し,SHTsより高いトンネルバリアが形成されていることを示した。<110>方向のナノワイヤーn/pFETsがCMOSとSETsの集積に適していると結論づけられた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  *FET【トランジスタ】 ,  *単一電子トランジスタ ,  量子閉込め ,  トランジスタ ,  振動 ,  単一電子トンネル効果
準シソーラス用語： Coulomb振動 ,  *シリコンナノワイヤ ,  単一正孔トランジスタ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

引用文献 (43件)：

• K. J. Kuhn: IEEE Trans. Electron Devices 59 (2012) 1813.
• K. K. Likharev: Proc. IEEE 87 (1999) 606.
• H. Matsuoka, T. Ichiguchi, T. Yoshimura, and E. Takeda: Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 586.
• A. Ohata, H. Niiyama, T. Shibata, K. Nakajima, and A. Toriumi: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) 4485.
• E. Leobandung, L. Guo, Y. Wang, and S. Y. Chou: Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 938.

タイトルに関連する用語 (8件)： 室温 ,  シリコン ,  ナノワイヤー電界効果トランジスタ ,  単一電子 ,  正孔 ,  トランジスタ ,  量子閉じ込め ,  観測