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J-GLOBAL ID：201302206042717160   整理番号：13A1717877

チャージポンプ回路によるフローティングゲートを持つ室温動作単一電子トランジスタの特性制御

Characteristics control of room-temperature operating single electron transistor with floating gate by charge pump circuit

著者 (5件)： NOZUE Motoki (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SUZUKI Ryota (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NOMURA Hirotoshi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SARAYA Takuya (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 88  ページ： 61-64  発行年： 2013年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *励起 ,  フローティングゲート ,  室温 ,  *単一電子トランジスタ ,  不揮発性メモリ ,  *MOS集積回路 ,  *Coulombブロッケード ,  MOSFET ,  集積 ,  半導体チップ ,  電流電圧特性 ,  電圧
準シソーラス用語： *チャージポンプ回路 ,  *Coulombブロッケード振動 ,  ゲート電圧

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： チャージポンプ回路 ,  フローティングゲート ,  室温 ,  単一電子トランジスタ