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J-GLOBAL ID：201302211166967312   整理番号：13A0636467

二重量子ドットSi単電子トランジスタにおける電子数変化による特性評価

Characteristics of double quantum dot Si single-electron transistor caused by the number change of electrons in quantum dot

著者 (6件)： 内田貴史 (北大 大学院情報科学研究科) ,  竹中浩人 (北大 大学院情報科学研究科) ,  吉岡勇 (北大 大学院情報科学研究科) ,  有田正志 (北大 大学院情報科学研究科) ,  藤原聡 (NTT 物性科学基礎研) ,  高橋庸夫 (北大 大学院情報科学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 445(ED2012 128-143)  ページ： 53-58  発行年： 2013年02月20日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 二重量子ドット単電子トランジスタ(DQD SET)は量子情報処理デバイスへの応用が期待され,この応用上,量子ドット(QD)間の結合の制御が重要である。我々は,複数ゲートを持つSiのDQD SETを作製し,QD中の電子数の変化によって2つのQD間のカップリング容量を変えることができることを見出した。電子数変化によって実効的な量子ドットの大きさが変化し,QD間の結合が変化したものと考えられる。(著者抄録)

シソーラス用語： 量子ドット ,  ケイ素 ,  *単一電子トランジスタ ,  *電子密度 ,  *キャラクタリゼーション ,  ゲート【半導体】 ,  静電容量
準シソーラス用語： Si ,  結合容量 ,  *全電子数 ,  *単電子トランジスタ ,  *特性評価 ,  半導体量子ドット

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 二重量子ドット ,  Si ,  単電子トランジスタ ,  電子 ,  特性評価