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J-GLOBAL ID：201302214209595502   整理番号：13A1077182

電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換

Photoabsorption and Photoelectric Conversion Properties of InP Porous Structures Formed by the Electrochemical process

著者 (4件)： 熊崎祐介 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  神保亮平 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  谷田部然治 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  佐藤威友 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 113  号： 40(CPM2013 1-21)  ページ： 61-64  発行年： 2013年05月09日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 電気化学的手法により自己組織化形成されるn-InP多孔質構造の光吸収特性を,pn接合基板に形成した光電流測定素子を用いて評価した。得られる光電流値は構造に強く依存し,多孔質構造はプレーナ構造と比べて大きな光吸収特性を示すことを見いだした。また,多孔質構造を基盤とする光電変換素子を提案し,その基本特性を評価した。光照射下における電流-電圧特性から,多孔質素子はプレーナ型素子と比べて大きな光電流と高い光応答特性を示すことを明らかにした。(著者抄録)

シソーラス用語： *リン化インジウム ,  処理 ,  自己組織化 ,  N型半導体 ,  *多孔性 ,  *光吸収 ,  光電流 ,  依存性 ,  光起電素子 ,  光照射 ,  電流電圧特性 ,  応答 ,  *光電効果
準シソーラス用語： 光応答 ,  構造依存性 ,  電気化学的プロセス

分類 (2件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  電気光学効果,磁気光学効果  (BM08020L)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電気化学 ,  手法 ,  InP ,  多孔質構造 ,  光吸収特性 ,  光電変換