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J-GLOBAL ID:201302221345750330   整理番号:13A0636462

フレキシブルデバイス応用を目指したセルフスイッチング型ナノダイオードの整流特性

Rectification in ZnO Self Switching Nano-Diodes toward Flexible Device Applications
著者 (5件):
資料名:
巻: 112  号: 445(ED2012 128-143)  ページ: 31-34  発行年: 2013年02月20日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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酸化物半導体のデバイス応用として,セルフスイッチング型ナノダイオード(Self Switching nano-Diode;SSD)に着目した。SSDは高速で動作する新機能ナノデバイスとして注目されており,高周波動作やフレキシブル基板上にSSDを作製した報告もあり,将来,安価なRFIDタグに応用できるデバイスとして有望と考えられている。我々はワイドギャップ半導体である酸化亜鉛(ZnO)をガラス基板上に成膜し,電子ビーム露光とウェットエッチングを用いた室温プロセスによってZnO-SSDを作製した。さまざまな寸法を持つSSDについて,それらの整流特性を評価した。さらにフレキシブルなSSDの開発を目的として,プラスチックであるポリエチレンナフタレート(PEN)基板上にもZnO-SSDを作製し,曲げ耐性を調べたのでその結果についても報告する。(著者抄録)
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分類 (2件):
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ダイオード  ,  固体デバイス製造技術一般 
タイトルに関連する用語 (5件):
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