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J-GLOBAL ID：201302223902292547   整理番号：13A1191911

広範な実用化が期待されるスピントロニクス技術〔各論〕IX ハーフメタルホイスラー合金のスピントロニクスデバイス応用

著者 (1件)： 山本眞史 (北大)
資料名： 工業材料  (Engineering Materials)
巻： 61  号： 8  ページ： 55-58  発行年： 2013年08月01日 
JST資料番号： F0172A  ISSN： 0452-2834  CODEN： KZAIA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ハーフメタル強磁性体(ハーフメタル)はスピントロニクス材料として注目されている。Co基ホイスラー合金(Co₂YZ,Yは遷移金属,Zは主族元素)の多くはハーフメタル特性が理論的に指摘されている。ホイスラー合金薄膜を用いた強磁性トンネル接合(MTJ)のトンネル磁気抵抗特性について述べた。Co₂YZ/MgOヘテロ構造をMTJの基本構造として説明したが,MTJのスピン注入源として得られたCo₂YZ/MgOのヘテロ構造に関する知見は半導体チャネルへのスピン注入源に対しても広く活用できる。ホイスラー合金薄膜組成の化学量論的組成からのずれは何かしらの欠陥をもたらす。そのずれのハーフメタル特性に対する影響とその制御について述べた。また,スピントランジスタはスピントロニクスの活発な研究分野である。スピン注入源としてホイスラー合金を用いたGaAsチャネルへのショットキー障壁を介したスピン注入を実証した。

シソーラス用語： *スピントロニクス ,  *強磁性体 ,  *ホイスラー合金 ,  トンネル接合 ,  磁気抵抗 ,  注入 ,  素子構造 ,  Schottky障壁 ,  磁気トランジスタ ,  金属薄膜 ,  コバルト合金
準シソーラス用語： *スピントロニクス素子 ,  *ハーフメタル ,  MTJ ,  トンネル磁気抵抗 ,  スピン注入 ,  ヘテロ構造 ,  スピントランジスタ ,  合金薄膜

分類 (3件)： 金属結晶の電子伝導  (BM03033M) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 実用化 ,  期待 ,  スピントロニクス ,  ハーフメタル ,  ホイスラー合金 ,  スピントロニクスデバイス ,  応用