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J-GLOBAL ID：201302234047808915   整理番号：13A1686382

NbO上でのH₂の解離 Mg水素化に向けての第一歩

H₂ Dissociation over NbO: The First Step toward Hydrogenation of Mg

著者 (3件)： TAKAHASHI Keisuke (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  ISOBE Shigehito (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  OHNUKI Somei (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Langmuir  (Langmuir)
巻： 29  号： 38  ページ： 12059-12065  発行年： 2013年09月24日 
JST資料番号： A0231B  ISSN： 0743-7463  CODEN： LANGD5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化ニオブナノ粒子はMgの水素化反応に対する高い触媒活性を持ち,そこではNbO上でのH₂の解離が主要反応過程であると推測されている。この触媒活性をもたらす原子構造を明らかにする目的で,Nb,NbO,Nb₂O,NbO₂,Nb₂O₂,Nb₂O₅及びNbO小クラスター表面でのH₂解離を密度汎関数理論により調べた。H₂のこれら表面への吸着エネルギー及び結合型はNbとO原子の立体配座に依存し,その中でNbO(111-1)のH₂に対する吸着エネルギーは-2.24eVと最も高い値を与えた。この表面では,HはNbと電子対形成により結合し,O原子により安定化されるが,O-H結合は形成されない。このため,NbO(111-1)はMg水素化の触媒活性が高く,同時に,MgO形成を抑制すると推測した。

シソーラス用語： *酸化ニオブ ,  *解離 ,  *水素 ,  マグネシウム ,  水素化 ,  *密度汎関数法 ,  吸着エネルギー ,  立体配座 ,  電子対生成 ,  反応機構 ,  遷移金属触媒 ,  触媒活性 ,  表面反応 ,  結晶面
準シソーラス用語： *マグネシウム水素化 ,  ニオブ触媒 ,  水素解離反応機構

分類 (4件)： その他の触媒  (CB06123Z) ,  不均一系触媒反応  (CB06100E) ,  吸着の電子論  (CB12042Y) ,  分解反応  (CF02080P)

タイトルに関連する用語 (4件)： H2 ,  解離 ,  Mg ,  水素化