文献

J-GLOBAL ID：201302236559402980   整理番号：13A0312054

Al₂O₃/AlGaN/GaNヘテロ構造のAlGaNをCl₂ベース誘導結合プラズマエッチングした際の界面特性への影響

Effects of Cl₂-Based Inductively Coupled Plasma Etching of AlGaN on Interface Properties of Al₂O₃/AlGaN/GaN Heterostructures

著者 (5件)： YATABE Zenji (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  HORI Yujin (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  KIM Sungsik (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  HASHIZUME Tamotsu (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  HASHIZUME Tamotsu (JST-CREST, Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 6  号： 1  ページ： 016502.1-016502.4  発行年： 2013年01月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層成長法で作製したAl₂O₃/AlGaN/GaN構造のAlGaNを誘導結合プラズマ(ICP)エッチングした際の影響を調査した。光照射容量-電圧測定(C-V)結果から,AlGaNの表面のICPエッチングがAl₂O₃/AlGaN界面の界面準位密度を最大8×10¹²12cm^-2eV^-1まで増加させることがわかった。透過型電子顕微鏡観測とX線光電子分光測定から,単分子層レベルの荒さ,及びAlGaNの表面の化学結合の乱れがAl₂O₃/ICPによってエッチングされたAGaN界面の高密度の界面準位を生じ,低品質のC-V特性となることが示された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *アルミナ ,  *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  *塩素 ,  *誘導結合プラズマ ,  *エッチング ,  表面準位 ,  透過型電子顕微鏡 ,  X線光電子分光法
準シソーラス用語： *AlGaN/GaN ,  界面準位

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

引用文献 (22件)：

• KAMBAYASHI, H. Solid-State Electron. 2010, 54, 660
• KANAMURA, M. IEEE Electron Device Lett. 2010, 31, 189
• HAHN, H. Appl. Phys. Express. 2011, 4, 114102
• CHU, R. IEEE Electron Device Lett. 2011, 32, 632
• NAKAJIMA, A. IEEE Electron Device Lett. 2011, 32, 542

タイトルに関連する用語 (7件)： Al2O3 ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  誘導結合プラズマ ,  エッチング ,  界面特性