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J-GLOBAL ID：201302243093728976   整理番号：13A1438189

GaAsショットキートンネル障壁を介した強磁性体からInGaAsへのスピン注入

著者 (4件)： 鳥野剛史 (北大 大学院情報科学研究科) ,  松田健一 (北大 大学院情報科学研究科) ,  山本眞史 (北大 大学院情報科学研究科) ,  植村哲也 (北大 大学院情報科学研究科)
資料名： 応用物理学会北海道支部・日本光学会北海道地区合同学術講演会講演予稿集  (応用物理学会北海道支部学術講演会・日本光学会北海道地区講演予稿集)
巻： 48th-9th  ページ： 17  発行年： 2013年01月11日 
JST資料番号： L5918A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *Schottky障壁 ,  *注入 ,  *鉄 ,  スピントロニクス ,  素子構造 ,  *スピン-軌道相互作用 ,  強磁性体 ,  ポテンシャル障壁 ,  磁化反転
準シソーラス用語： スピンバルブ ,  *スピン注入 ,  トンネル障壁

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  金属の磁区及び磁化過程  (BM06112D)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaAs ,  ショット ,  キー ,  トンネル障壁 ,  強磁性体 ,  InGaAs ,  スピン注入