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J-GLOBAL ID：201302246113278017   整理番号：13A0827820

完全に欠乏した,浅く埋め込まれた酸化物上のシリコンとバルクメタル酸化物半導体電界効果型トランジスタにおける閾値下での振動の統計解析

Statistical Analysis of Subthreshold Swing in Fully Depleted Silicon-on-Thin-Buried-Oxide and Bulk Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors

著者 (7件)： MIZUTANI Tomoko (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  YAMAMOTO Yoshiki (Low-power Electronics Assoc. and Project (LEAP), Ibaraki, JPN) ,  MAKIYAMA Hideki (Low-power Electronics Assoc. and Project (LEAP), Ibaraki, JPN) ,  IWAMATSU Toshiaki (Low-power Electronics Assoc. and Project (LEAP), Ibaraki, JPN) ,  ODA Hidekazu (Low-power Electronics Assoc. and Project (LEAP), Ibaraki, JPN) ,  SUGII Nobuyuki (Low-power Electronics Assoc. and Project (LEAP), Ibaraki, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 4,Issue 2  ページ： 04CC02.1-04CC02.5  発行年： 2013年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 完全に欠乏した(FD)浅く埋め込まれた酸化物上のシリコン(SOTB)MOSFETsの閾値下振動(SS)の変動性が統計的に分析され,従来のバルクMOSFETのそれと比較される。SS変動性は深閾値下部分領域中(小ドレーン電流I_ds)では十分に小さく,それはI_dsが増加するにつれ増加することが新たに発見される。この挙動の機構は,集中的に研究され,SS変動性は,ランダムなドーパント変動(RDF)による電流開始電圧(COV)変動性により起因されることが発見される。内性チャネルによりSOTB FETは小さなCOV変動性を持つために,SS変動性は,バルクFETよりかなり少なく,それは,I_on/I_off 比の点で,FD SOTBの大きな利点である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *ケイ素 ,  半導体 ,  *閾値 ,  *埋込み【挿入】 ,  *振動 ,  *統計解析 ,  *ドーパント ,  酸化物 ,  変動 ,  電圧
準シソーラス用語： 電流開始電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (34件)：

• 1) B. Hoeneisen and C. A. Mead: Solid-State Electron. 15 (1972) 819.
• 2) M. J. M. Pelgrom, A. C. Duinmaijer, and A. P. G. Welbers: IEEE J. SolidState Circuits 24 (1989) 1433.
• 3) T. Mizuno, J. Okamura, and A. Toriumi: IEEE Trans. Electron Devices 41 (1994) 2216.
• 4) A. Asenov: IEEE Trans. Electron Devices 45 (1998) 2505.
• 5) Y. Yasuda, M. Takamiya, and T. Hiramoto: IEEE Trans. Electron Devices 47 (2000) 1838.

タイトルに関連する用語 (9件)： 欠乏 ,  酸化物 ,  シリコン ,  バルク ,  メタル ,  酸化物半導体 ,  電界効果型トランジスタ ,  閾値 ,  統計解析