文献

J-GLOBAL ID：201302269592712168   整理番号：13A0827826

固有チャネル3ゲート単シリコンナノワイヤー金属酸化物半導体電界効果型トランジスタのキャリア移動度の直接測定

Direct Measurement of Carrier Mobility in Intrinsic Channel Tri-Gate Single Silicon Nanowire Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

著者 (3件)： MAO Ke (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SARAYA Takuya (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 4,Issue 2  ページ： 04CC08.1-04CC08.6  発行年： 2013年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文において,我々は,「単」シリコンナノワイヤー金属酸化物半導体電界効果型トランジスタ(MOSFET)固有キャリア移動度の直接測定を,初めて報告する。スプリットキャパシタンス-電圧(C-V)法により固有キャリア移動度を高精度で得るために,超長単シリコンナノワイヤーが,複並行ナノワイヤーのかわりに設計製作された。測定されたキャパシタンス中の寄生効果を除去するために,開放回路法が使われた。電子およびホールの両方において,より狭いナノワイヤー中での移動度の劣化が見られるものの,[110]方向ナノワイヤーの(110)方位側面上の高いホール移動度のために「単」ナノワイヤーにおいてさえ,ホール移動度は(100)面上の全体的移動度より高い。抽出された移動度は表面方位がナノワイヤー移動度において鍵となる役割を果たすことを示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ナノワイヤ ,  *MOSFET ,  *キャリア移動度 ,  *計測 ,  容量電圧特性 ,  効果 ,  静電容量 ,  半導体
準シソーラス用語： 寄生効果 ,  電子移動度 ,  正孔移動度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (32件)：

• 1) H. Majima, H. Ishikuro, and T. Hiramoto: IEDM Tech. Dig., 1999, p. 379.
• 2) H. Majima, H. Ishikuro, and T. Hiramoto: IEEE Electron Device Lett. 21 (2000) 396.
• 3) R. Kotlyar, B. Obradovic, P. Matagne, M. Stettler, and M. D. Giles: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 5270.
• 4) S.-M. Koo, A. Fujiwara, J.-P. Han, E. M. Vogel, C. A. Richter, and J. E. Bonevich: Nano Lett. 4 (2004) 2197.
• 5) S. Jin, M. V. Fischetti, and T. Tang: J. Appl. Phys. 102 (2007) 083715.

タイトルに関連する用語 (8件)： 固有 ,  チャネル ,  ゲート ,  シリコンナノワイヤー ,  金属酸化物半導体 ,  電界効果型トランジスタ ,  キャリア移動度 ,  直接測定