界面構造特性によるCo<sub>2</sub>MnSi電極およびMgO障壁によるエピタキシャル磁気トンネル接合の強調コヒーレントトンネル寄与

LIU Hong-Xi; HONDA Yusuke; MATSUDA Ken-ichi; UEMURA Tetsuya; YAMAMOTO Masafumi

文献

J-GLOBAL ID：201302271767911783 整理番号：13A0098804

界面構造特性によるCo₂MnSi電極およびMgO障壁によるエピタキシャル磁気トンネル接合の強調コヒーレントトンネル寄与

Enhanced coherent tunneling contribution in epitaxial magnetic tunnel junctions with a Co₂MnSi electrode and a MgO barrier due to improved interfacial structural properties

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資料名：
巻： 36th ページ： 28 発行年： 2012年
JST資料番号： Y0056A ISSN： 1882-2959 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

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磁性材料

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界面構造特性によるCo2MnSi電極およびMgO障壁によるエピタキシャル磁気トンネル接合の強調コヒーレントトンネル寄与

界面構造特性によるCo₂MnSi電極およびMgO障壁によるエピタキシャル磁気トンネル接合の強調コヒーレントトンネル寄与