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J-GLOBAL ID：201302274757728300   整理番号：13A0851966

GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの表面状態と非線形特性の関連性についての検討

著者 (2件)： 佐藤将来 ,  葛西誠也
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 60th  ページ： ROMBUNNO.28P-B9-2  発行年： 2013年03月11日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *表面準位 ,  *非線形性 ,  *ナノワイヤ ,  *回線分岐 ,  *窒化ケイ素 ,  表面電位 ,  空乏層 ,  チャネル ,  ピンチオフ ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム
準シソーラス用語： 表面状態

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs ,  ナノワイヤ ,  分岐 ,  非線形特性 ,  関連性