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J-GLOBAL ID：201302280974971310   整理番号：13A1165602

電気Brownラチェット用多重非対称ゲート付GaAsベースナノワイヤデバイス

GaAs-Based Nanowire Devices with Multiple Asymmetric Gates for Electrical Brownian Ratchets

著者 (3件)： TANAKA Takayuki (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  NAKANO Yuki (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  KASAI Seiya (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 6,Issue 2  ページ： 06GE07.1-06GE07.6  発行年： 2013年06月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気Brownラチェット用多重非対称ゲート付GaAsベースナノワイヤデバイスを製造し,特性を測定した。三次元ポテンシャルシミュレーション結果及び電流-電圧特性から,我々のデバイス設計における非対称ポテンシャルの形成を確認した。多重非対称デバイスにおいて,ポテンシャルを繰り返しオンオフスイッチングすることにより,直流が,室温で生成された。そのような電流は,単一非対称デバイスや多重対称デバイスでは,観察されなかった。ネット電流の電流方向及び入力周波数依存性は,観察された電流が,フラッシングラチェット機構によって発生することを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  *ヒ化ガリウム ,  *Brown運動 ,  電流電圧特性 ,  ドレイン【半導体】 ,  電流 ,  *FET【トランジスタ】 ,  ポテンシャル障壁 ,  キャリア移動度
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  ナノワイヤ電界効果トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (33件)：

• 1) M.D. McDonnell and L.M. Ward: Nat. Rev. Neurosci. 12 (2011) 415.
• 2) T. Fukai and S. Kanemura: Biol. Cybern. 85 (2001) 107.
• 3) M. Bohr: Dig. Tech. Pap. IEEE Solid-State Circuit Conf., 2009, p.23.
• 4) C. Bustamante, Y.R. Chemla, N.R. Forde, and D. Izhaky: Annu. Rev. Biochem. 73 (2004) 705.
• 5) T. Yanagida and Y. Ishii: Biosystems 71 (2003) 233.

タイトルに関連する用語 (5件)： ラチェット ,  多重 ,  非対称 ,  ゲート ,  GaAs