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J-GLOBAL ID：201302294338370308   整理番号：13A0852151

MgZnO/ZnO二次元電子系における抵抗検出型ESRによるRashbaスピン軌道相互作用の検出

著者 (9件)： 小塚裕介 (東大 大学院) ,  FALSON Joseph (東大) ,  寺岡総一郎 (東大 大学院) ,  大岩顕 (東大 大学院) ,  樽茶清悟 (東大 大学院) ,  樽茶清悟 (東大 ナノ量子機構) ,  塚崎敦 (東大) ,  塚崎敦 (JST-さきがけ) ,  川崎雅司 (東大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 60th  ページ： ROMBUNNO.28P-A8-8  発行年： 2013年03月11日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *スピン-軌道相互作用 ,  *ESR【磁気共鳴】 ,  *低次元系 ,  酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *マグネシウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *酸化物 ,  電子系
準シソーラス用語： Rashbaスピン-軌道相互作用 ,  *酸化亜鉛マグネシウム ,  二次元電子系

分類 (2件)： 金属・半導体のEPR  (BM07022M) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (4件)： ZnO ,  二次元電子系 ,  ESR ,  Rashbaスピン軌道相互作用